产品概况
QRL1200型水平区熔炉是一款主打多参数对比实验的高精度晶体生长设备，专为半导体、功能晶体等材料的研发设计，集成双生长区、多组温场与一体化数据管理系统，兼顾实验灵活性与数据精准性。
设备核心配置双独立生长区，可同步设置不同生长速率、不同组分参数开展平行实验，大幅缩短研发周期；随炉配备多个区熔炉膛，可手工微调保温层参数确定温度梯度，熔料区宽度控制在50～100mm，精准匹配不同晶体的生长温场需求。整机采用高纯度氧化铝纤维炉膛与电阻丝加热，常用温度≤1150℃，升温速率1～15℃/min可调，搭配智能PID控温与K型热电偶测温，控温精准稳定。实现实验数据自动存储与追溯，适配科研院所开展多变量晶体生长工艺优化研究。
技术参数
1、产品型号：QRL1200
2、炉膛材料：高纯度氧化铝纤维
3、加热元件：电阻丝
4、工作电源：AC220V 50/60HZ
5、额定功率：4KW
6、设计温度：1200℃
7、常用工作温度：≤1150℃
8、推荐升温速率：1～15℃/min
9、控温方式：智能PID调节+微电脑控制，30段可编程式控温
10、测温元件：K型热电偶
11、炉膛配置：2套
12、炉管尺寸：φ30～300mm可选
13、熔料区尺寸：50～100mm
14、生长区数量：2个，独立控制
15、数据系统：测温系统+数据记录+数据监控系统
热线电话 400-820-8727
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